Efecto Hall y estudio de fotovoltaje superficial transiente (SPV) en películas delgadas de Cu3BiS3 / Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films / Efeito Hall e estudo de foto voltagem superficial transiente (SPV) em películas delgadas de Cu3BiS3

Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a través de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A través de medidas de efecto Hall se encontró que la concentración de portadores de carga n es del orden de 10(16) cm-3 independiente de la relación de masas de Cu/Bi. También se encontró que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm²V -1s-1) varía de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontró alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3.

Here, we present the electrical properties of the compound Cu3BiS3 deposited by co-evaporation. This new compound may have the properties necessary to be used as an absorbent layer in solar cells. The samples were characterized by Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) measurements. Using Hall effect measurements, we found that the concentration of n charge carriers is in the order of 10(16) cm³ irrespective of the Cu/Bi mass ratio. We also found that the mobility of this compound (μ in the order of 4 cm² V-1s-1) varies according to the transport mechanisms that govern it and are dependent on temperature. Based on the SPV, we found a high density of surface defects, which can be passivated by superimposing a buffer layer over the Cu3BiS3 compound.

Apresentam-se as propriedades elétricas do composto Cu3BiS3 depositado por co-evaporação. É um composto novo que pode ter as propriedades adequadas para ser utilizado como capa absorvente em células solares. As amostras foram caracterizadas através de medidas do efeito Hall e foto voltagem superficial transiente (SPV). Através de medidas do efeito Hall se encontro que a concentração de portadores de carga n é da ordem de 10(16) cm³ independentemente da relação de massas de Cu/Bi. Também se encontrou que a mobilidade des composto (μ da ordem de 4 cm²V -1s-1) varia de acordo com os mecanismos de transporte que a governam em dependência com a temperatura. Partindo das medidas de SPV se encontrou uma alta densidade de defeitos superficiais, defeitos que são passivados a sobrepor uma capa buffer sobre o composto Cu3BiS3.

Procesos hopping a través del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas / Hopping processes in nanocrystalline materials used for photovoltaic applications using a diffusion model / Processos Hopping através do modelo de difusão em materiais nanocristalinos utilizados para aplicações fotovoltaicas

Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte eléctrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en función de temperatura fueron realizadas para región de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teoría de percolación, se obtuvieron parámetros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(E F), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se presentó el modelo difusional, que permitió establecer la relación entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El análisis comparativo entre modelos, evidenció, que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parámetros hopping que caracterizan el material.

Here, we present variable range hopping (VRH) models, nearest neighbor hopping (NNH) and potential barriers present at the grain boundaries, as well as mechanisms of electrical transport predominant in semiconductor materials for photovoltaic applications. We performed dark conductivity measures according to temperature for low temperature regions between 120 and 400 K in Si and Cu3BiS2 and Cu2ZnSnSe4 compounds. Using the percolation theory, we obtained hopping parameters and the density of states near the Fermi, N(E F) level for all samples. Using the approach by Mott for VRH, we obtained the diffusion model, which established the relationship between conductivity and density of defect states or localized gap states of the material. The comparative analysis between models evidenced that it is possible to obtain improvement of an order of magnitude in the values of each of the hopping parameters that characterize the material.

Apresentam-se os modelos de hopping de categoria variável (variable range hopping; VRH), vizinhos próximos (nearest neighbor hopping, NNH) e barreiras de potenciais presentes nas fronteiras de grãos; como mecanismo de transporte elétrico predominantes nos materiais semicondutores para aplicações fotovoltaicas. As medidas de condutividade no escuro em função da temperatura foram realizadas para região de baixas temperaturas entre 120 e 400 K com Si e compostos Cu3BiS2 e Cu2ZnSnSe4. Seguindo a teoria da percolação obtiveram-se parâmetros hopping e a densidade de estados próximos do nível Fermi[BO1] N(E F) para toda a amostra. A partir das abordagens seguidas por Mott para VRH, apresentou-se o modelo de difusão, que permitiu estabelecer a relação entre a condutividade e a densidade de estados de defeito ou estados localizados no gap do material. A análise comparativa dos modelos mostrou que é possível obter melhoria até de uma amplitude de magnitude em valores para cada um dos parâmetros hopping que caracterizam o material.

Cálculo de constantes ópticas de películas delgadas de Cu3BiS3 a través del método de Wolfe / Calculation of the optical constants of Cu3BiS3 thin films using the Wolfe method / Calculou-se de constantes óticas de películas finas de Cu3BiS3 através do método de Wolfe

Se calculó la obtención de las constantes ópticas usando el método de Wolfe. Dichas contantes: coeficiente de absorción (α), índice de refracción (n) y espesor de una película delgada (d), son de importancia en el proceso de caracterización óptica del material. Se realizó una comparación del método del Wolfe con el método empleado por R. Swanepoel. Se desarrolló un modelo de programación no lineal con restricciones, de manera que fue posible estimar las constantes ópticas de películas delgadas semiconductoras, a partir únicamente, de datos de transmisión conocidos. Se presentó una solución al modelo de programación no lineal para programación cuadrática. Se demostró la confiabilidad del método propuesto, obteniendo valores de α = 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm y Eg = 1.39 Ev, a través de experimentos numéricos con datos de medidas de transmitancia espectral en películas delgadas de Cu3BiS3.

Using the Wolfe method, we calculated the procurement of optical constants. These constants, absorption coefficient (α), refraction index of (n) and thin film thickness (d ), are significant in the optical characterization of the material. We compared the Wolfe method with the method employed by R. Swanepoel. To estimate the optical constants of semiconductor thin films, we developed a constrained nonlinear programming model, based solely, on known transmission data. Ultimately, we presented a solution to this nonlinear programming model for quadratic programming. Through numerical experiments and transmittance spectral data of Cu3BiS3 thin films, we obtained values of a= 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm and Eg= 1.39 Ev, demonstrating the reliability of the proposed method.

Calculou-se a obtenção de constantes óticas utilizando o método de Wolfe. Estas constantes: coeficiente de absorção (α), índice de refração (n) e espessura de uma película fina (d), são importantes no processo de caracterização ótica do material. Realizou-se uma comparação do método de Wolfe com o método utilizado por R. Swanepoel. Desenvolveu-se um modelo de programação não linear com restrições, de modo que foi possível estimar as constantes óticas de películas finas semicondutores, a partir unicamente, de dados de transmissão conhecidos. Apresentou-se uma solução ao modelo de programação não linear para programação quadrática. Mostrou-se a confiabilidade do método proposto, obtendo valores de α = 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm y Eg = 1.39 Ev, através de experiências numéricas com dados de medidas de transmissão espectral em películas finas de Cu3BiS3.

Kinetic Energy of Emerging Neutrons Produced by Photodisintegration in a Medical Linear Accelerator / Energía cinética de neutrones emergentes producidos por fotodesintegración en un acelerador médico lineal

When a gamma photon interacts with a target nucleus a nuclear reaction can be generated, producing as a consequence the expulsion of particles from the atomic nucleus, this process is called photodisintegration. For this work, are of interest nuclear reactions of photodisintegration in which neutrons are ejected due to the interaction of photons with atomic nuclei of different materials in a linear accelerator for medical use. In this paper, the kinetic energy of photoneutrons produced by interactions with atomic nuclei of 184W, 63Cu, 27Al and 12C, which are some of the materials that constitute the head of a medical linear accelerator, is calculated. Also, the nuclei present in the construction materials of the room and the maze of the accelerator, such as, 23Na, 40Ca and 28Si, as also in the human body, ²H, 14N and 16O, are considered. It derives an exact theoretical expression, which has a linear dependence of the energy of the produced neutrons relative to the incident photon energy. It is found that, in the majority of cases, just photons with energies above 10 MV contribute to the production of neutrons. The values calculated from the expression obtained in this work are in good agreement with those reported in the literature, that are obtained by other approaches.

Cuando un fotón gamma interactúa con un núcleo blanco una reacción nuclear puede ser generada, produciendo como consecuencia la expulsión de partículas del núcleo atómico, este proceso se denomina fotodesintegración. Para este trabajo, son de interés las reacciones nucleares de fotodesintegración en las que los neutrones son expulsados debido a la interacción de los fotones con los núcleos atómicos de diferentes materiales en un acelerador lineal para uso médico. En este trabajo, la energía cinética de fotoneutrones producidos por la interacción con los núcleos atómicos de 184 W, 63 Cu, 27 Al y 12 C, que son algunos de los materiales que constituyen el cabezal de un acelerador lineal médico, es calculada. Además, los núcleos presentes en los materiales de construcción de la sala y el laberinto del acelerador, como por ejemplo, 23Na, 40Ca y 28Si, como también en el cuerpo humano, ²H, 14N y 16O, son considerados. Se obtiene una expresión exacta teórica, la cual tiene una dependencia lineal de la energía de los neutrones producidos en relación a la energía del fotón incidente. Se ha encontrado que, en la mayoría de los casos, sólo los fotones con energías por encima de 10 MV contribuyen a la producción de neutrones. Los valores calculados a partir de la expresión obtenida en este trabajo están en buen acuerdo con los reportados en la literatura, los cuales se obtienen mediante otros métodos.

Riesgo cardiovascular y síndrome metabólico en pacientes posmenopáusicas / Cardiovascular risk and metabolic syndrome in postmenopausal women

Antecedentes: la prevalencia de síndrome metabólico (SMET) aumenta con la edad y en la posmenopausia, y podría explicar parcialmente la aceleración de la enfermedad cardiovascular en esta población. Objetivo: determinar el riesgo cardiovascular (RCV) a 10 años empleando el puntaje de Framingham. Metodología: se reclutaron 325 mujeres posmenopáusicas, no usuarias de terapia hormonal, con útero intacto. Se registraron datos sociodemográficos, circunferencia abdominal, presión arterial y parámetros bioquímicos. Resultados: la prevalencia de SMET según criterios ATP III, fue 41.5. El RCV fue mayor en esta población, aunque el puntaje de Framingham catalogó a casi el 90 de pacientes con SMET como pacientes de bajo riesgo. Conclusiones: en este estudio, la prevalencia de SMET fue alta y el puntaje de Framingham no logró establecer diferencias categóricas en pacientes con y sin SMET.

30 años de estudio sobre ausentismo laboral en Chile: una perspectiva por tipos de empresas / Work absenteeism in Chile according to the type of work place

BACKGROUND: The issue of medically justified work absenteeism has a great relevance in Chile at the present moment. AIM: To analyze sick leaves among people working in hospitals, mines, automotive industry and universities. MATERIAL AND METHODS: Analysis of 14 thesis and research papers about absenteeism in Chile. The incapacity rate (number of days with sick leave per worker per year, the frequency rate (number of sick leaves per year per worker) and the severity rate (mean duration of sick leaves) were calculated. The diseases causing the highest rates of absenteeism were also recorded. RESULTS: The mean age of the studied populations was 36 years old and the most common diseases causing absenteeism were respiratory, rheumatologic and trauma. Hospital workers had the highest incapacity rate with 14.3 days of sick leave per worker per year, followed by mining industry with 12 days, automotive industry with 7.1 days and universities with 6 days. CONCLUSIONS: In Chile, respiratory diseases are the main cause of sick leaves and hospital workers have the highest incapacity rate.

Trastornos del dormir en una población de preadolescentes sanos / Sleep disturbances in healthy pre-adolescents population

Se realizó un estudio transversal, observacional indirecto para establecer o determinar la prevalencia de los trastornos del dormir en 500 preadolescentes sanos del Barrio "Simon Bolivar" de la ciudad de Santo Domingo. La incidencia en los trastornos del dormir en la población en estudio es de un 51.8 por ciento para las edades comprendidas entre 8-9 años y de 47.9 por ciento en el grupo de 9-10 años. Se concluye confirmando lo indicado por otros estudios, que el índice de trastornos del dormir en la población estudiada supuestamente sana se debe a situaciones conflictivas psicológicas y precariedades económicas en las que está inmersa la familia