Comparação dos lasers diodo 904 nm e 670 nm na viabilidade do retalho cutâneo randômico isquêmico em ratos / Comparison of the 904 nm and 670 nm diode lasers in the viability of random skin flap

RESUMO

O presente estudo teve como objetivo comparar a eficácia do laser diodo (904 nm) e do laser diodo (670 nm) na viabilidade do retalho cutâneo randômico em ratos. Este se constituiu de 36 ratos da linhagem Wistar, distribuídos ao acaso em 3 grupos de 12 animais cada. O retalho cutâneo randômico foi realizado com as medidas de 10 x 4 cm, com uma barreira plástica interposta entre o mesmo e o leito doador. O Grupo 1 (controle) foi submetido a uma simulação de tratamento de radiação. O Grupo 2 submeteu-se a radiação do laser diodo (904 nm). O Grupo 3 recebeu a radiação laser diodo (670 nm). Foi utilizada a técnica pontual com contato, em um ponto localizado a 2,5 cm da base cranial do retalho com densidade de energia de 16 J/cm2 imediatamente após a operação e nos 4 dias subseqüentes. As porcentagens da área de necrose de todos os grupos foram avaliadas no 7º dia pós-operatório com o método de Gabarito de papel. Obtivemos como resultado no Grupo 1 média de área de necrose de 48 %; o Grupo 2 - 37 % e o Grupo 3 - 27 %. Após a análise estatística, os resultados mostraram que os grupos experimentais obtiveram valores estatisticamente significativas em comparação ao grupo controle e que, o Grupo 3 apresentou uma menor área de necrose (p < 0,001). Concluímos que a radiação laser diodo foi eficaz no aumento da viabilidade do retalho cutâneo randômico em ratos sendo que a radiação laser diodo 670 nm (G3) foi a mais eficaz no aumento da viabilidade do retalho cutâneo randômico em ratos comparado ao grupo 1 e grupo 2.

ABSTRACT

The aim of this study was to compare the role of AsGa (904 nm) diode laser irradiation and GaAlAs (670 nm) diode laser irradiation in the viability of random skin flap in rats. Were used 36 Wistar rats, weighed and randomly divided in 3 groups with 12 rats in each group. The random skin flap was performed measuring of 10 x 4 cm, with a plastic sheet interposed between the flap and the donor site. The Group 1 (control) underwent sham irradiation. Group 2 was submitted to diode laser (AsGa) irradiation and Group 3 was submitted to diode laser (GaAlAs) irradiation. The laser irradiation was used with the punctual contact technique with target tissue on a point at 2,5 cm cranial from the fl ap base immediately after the surgery and for the four subsequent days, and the energy density was 16 J/cm2. The percentage of necrotic area of the three groups was calculated at the seventh postoperative day through a paper template method. Results: The Group 1 obtained the average necrotic area of 48%, the Group 2 - 37 % and the Group 3 - 27 %. After the ANOVA test, the results showed that all experimental groups obtained values statistically significant compared to the control group, and the group 3 was the best group compared all groups of this study (p < 0,001). Conclusion: The laser irradiation was efficient in increasing random skin fl ap viability in rats and the diode laser irradiation GaAlAs (group 3) was the most efficient in increasing random skin flap viability in rats compared to the group 1 and the group 2.