Detalles de la búsqueda
1.
Single-electron dynamics of an atomic silicon quantum dot on the H-Si(100)-(2×1) surface.
Phys Rev Lett
; 112(25): 256801, 2014 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25014824
2.
Atomically Precise Manufacturing of Silicon Electronics.
ACS Nano
; 18(9): 6766-6816, 2024 Mar 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38376086
3.
Detecting and Directing Single Molecule Binding Events on H-Si(100) with Application to Ultradense Data Storage.
ACS Nano
; 14(3): 2947-2955, 2020 Mar 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31773956
4.
Electrostatic Landscape of a Hydrogen-Terminated Silicon Surface Probed by a Moveable Quantum Dot.
ACS Nano
; 13(9): 10566-10575, 2019 Sep 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31386340
5.
Lithography for robust and editable atomic-scale silicon devices and memories.
Nat Commun
; 9(1): 2778, 2018 07 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30038236
6.
All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics.
J Vis Exp
; (131)2018 01 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29443038
7.
Resolving and Tuning Carrier Capture Rates at a Single Silicon Atom Gap State.
ACS Nano
; 11(11): 11732-11738, 2017 11 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29091424
8.
Atomic White-Out: Enabling Atomic Circuitry through Mechanically Induced Bonding of Single Hydrogen Atoms to a Silicon Surface.
ACS Nano
; 11(9): 8636-8642, 2017 09 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28719182
9.
Time-resolved single dopant charge dynamics in silicon.
Nat Commun
; 7: 13258, 2016 10 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27782125
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