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1.
Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs.
Sci Rep
; 9(1): 202, 2019 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30655575
2.
Physics and performances of III-V nanowire broken-gap heterojunction TFETs using an efficient tight-binding mode-space NEGF model enabling million-atom nanowire simulations.
J Phys Condens Matter
; 30(25): 254002, 2018 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29708499
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