Detalles de la búsqueda
1.
Mechanisms of the Device Property Alteration Generated by the Proton Irradiation in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Insulator.
Nanomaterials (Basel)
; 13(5)2023 Feb 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36903774
2.
Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(49): 59440-59449, 2021 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34792331
3.
Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer.
Nanomaterials (Basel)
; 10(11)2020 Oct 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33143313
4.
Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.
Nanomaterials (Basel)
; 10(11)2020 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33114425
5.
Integrated microHall magnetometer to measure the magnetic properties of nanoparticles.
Lab Chip
; 17(23): 4000-4007, 2017 11 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29067383
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