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1.
Determination of dynamic parameters controlling atomic scale etching of Si(100)-(2 x 1) by chlorine.
Phys Rev Lett
; 74(11): 2014-2017, 1995 Mar 13.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10057820
2.
Cluster deposition on GaAs(110): Formation of abrupt, defect-free interfaces.
Phys Rev Lett
; 62(13): 1568-1571, 1989 Mar 27.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10039707
3.
Step dynamics and equilibrium structure of monoatomic steps on Si(100)-2 x 1.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(16): R11058-R11061, 1996 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9984985
4.
Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice.
Phys Rev B Condens Matter
; 54(12): 8751-8755, 1996 Sep 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9984554
5.
Effects of orbital nonorthogonality on band structure within the tight-binding scheme.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(16): 12152-12155, 1994 Oct 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9975357
6.
Charge transfer, doping, and interface morphologies for Al-C60.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(23): 17068-17072, 1995 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9978719
7.
Etching of Si(100)-2 x 1 with chlorine: Reaction pathways, energy anisotropies, and atomic-scale phenomena.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(11): 8288-8294, 1995 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9979829
8.
Effects of growth temperature on atom distributions, Fermi-level positions, and valence-band offsets for Ge/n-type InP(110) heterojunctions.
Phys Rev B Condens Matter
; 43(17): 13952-13956, 1991 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9997262
9.
3d transition metals on InP(110): A comparative study of reactive interface evolution.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(11): 6019-6026, 1988 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9943831
10.
Deposition of Ag ions and neutral atoms on ZnSe(100): Influence of interface morphology on Schottky-barrier formation.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(2): 991-994, 1990 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9993794
11.
Temperature effects for Ti/GaAs(110) interface formation involving cluster and atom deposition.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(5): 2932-2939, 1989 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9992223
12.
Disruption, atom distributions, and energy levels for Ge/GaAs(110), Ge/InP(110), and Ge/InSb(110) heterojunctions.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(6): 3711-3719, 1989 Aug 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9992341
13.
Surface photovoltages due to pulsed sources: Implications for photoemission spectroscopy.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(23): 17729-17731, 1994 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9976202
14.
Direct evidence of the onset of In surface segregation for Co/InP(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 36(6): 3495-3498, 1987 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9943276
15.
Pd overlayer growth on InP(110), GaAs(110), and InSb(110): Comparisons of anion surface segregation.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(15): 10776-10786, 1988 Nov 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9945933
16.
Metal-InP(110) interface properties: Temperature, dopant-concentration, and cluster-deposition dependencies.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(12): 8465-8476, 1990 Apr 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9993172
17.
Dynamic-coupling model: Interpretation of temperature-, dopant-concentration-, and coverage-dependent Schottky-barrier formation.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(5): 2800-2812, 1990 Feb 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9994047
18.
Photovoltaic effects in temperature-dependent Fermi-level movement for GaAs(110).
Phys Rev B Condens Matter
; 41(9): 6092-6095, 1990 Mar 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9994501
19.
Dopant concentration dependences and symmetric Fermi-level movement for metal/n-type and p-type GaAs(110) interfaces formed at 60 K.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(17): 12977-12980, 1989 Jun 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9948188
20.
Temperature-dependent Al/GaAs(110) interface formation and adatom energy references.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(12): 8305-8312, 1989 Oct 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9991288