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1.
Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator.
Materials (Basel)
; 15(3)2022 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35160771
2.
Design of a Capacitorless DRAM Based on a Polycrystalline-Silicon Dual-Gate MOSFET with a Fin-Shaped Structure.
Nanomaterials (Basel)
; 12(19)2022 Oct 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36234653
3.
Design of a Capacitorless Dynamic Random Access Memory Based on Junctionless Dual-Gate Field-Effect Transistor with a Silicon-Germanium/Silicon Nanotube.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(8): 4235-4242, 2021 Aug 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33714309
4.
The Effect of Grain Boundary on Electrical Characteristics in the Source and Drain Regions of Polycrystalline Silicon Based in One Transistor Dynamic Random Access Memory.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(8): 4258-4267, 2021 08 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33714312
5.
Design and Analysis of DC/DC Boost Converter Using Vertical GaN Power Device.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(8): 4320-4324, 2021 Aug 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33714321
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