Detalles de la búsqueda
1.
Effects of thermal annealing on analog resistive switching behavior in bilayer HfO2/ZnO synaptic devices: the role of ZnO grain boundaries.
Nanoscale
; 16(9): 4609-4619, 2024 Feb 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38258994
2.
Effect of high-pressure D2 and H2 annealing on LFN properties in FD-SOI pTFET.
Sci Rep
; 12(1): 18516, 2022 Nov 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36323847
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