Detalles de la búsqueda
1.
Anisotropy-driven spin relaxation in germanium.
Phys Rev Lett
; 111(25): 257204, 2013 Dec 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24483755
2.
Electronic measurement and control of spin transport in silicon.
Nature
; 447(7142): 295-8, 2007 May 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17507978
3.
Field-induced negative differential spin lifetime in silicon.
Phys Rev Lett
; 108(15): 157201, 2012 Apr 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22587278
4.
Spin-polarized transient electron trapping in phosphorus-doped silicon.
Phys Rev Lett
; 106(21): 217202, 2011 May 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21699335
5.
Alternative paradigm for physical computing.
Phys Rev E Stat Nonlin Soft Matter Phys
; 66(6 Pt 2): 066612, 2002 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-12513434
6.
Introduction to spin-polarized ballistic hot electron injection and detection in silicon.
Philos Trans A Math Phys Eng Sci
; 369(1951): 3554-74, 2011 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21859721
7.
Spin polarized electron transport near the Si/SiO2 interface.
Phys Rev Lett
; 103(11): 117202, 2009 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19792397
8.
Coherent spin transport through a 350 micron thick silicon wafer.
Phys Rev Lett
; 99(17): 177209, 2007 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17995369
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