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1.
Electrical Transport Properties Driven by Unique Bonding Configuration in γ-GeSe.
Nano Lett
; 23(8): 3144-3151, 2023 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37026614
2.
Dramatic Reduction of Contact Resistance via Ultrathin LiF in Two-Dimensional MoS2 Field Effect Transistors.
Nano Lett
; 21(8): 3503-3510, 2021 Apr 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33856222
3.
Anisotropic Electron Mobility and Contact Resistance of ß-Ga2O3 Obtained via Radio Frequency Transmission Line Methods on Schottky Devices.
ACS Nano
; 18(11): 8546-8554, 2024 Mar 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38456657
4.
Self-Assembled TaOX/2H-TaS2 as a van der Waals Platform of a Multilevel Memristor Circuit Integrated with a ß-Ga2O3 Transistor.
ACS Nano
; 17(4): 3666-3675, 2023 Feb 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36795495
5.
Near-Infrared Self-Powered Linearly Polarized Photodetection and Digital Incoherent Holography Using WSe2/ReSe2 van der Waals Heterostructure.
ACS Nano
; 15(11): 17917-17925, 2021 Nov 23.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34677045
6.
Interband Transitions in Monolayer and Few-Layer WSe2 Probed Using Photoexcited Charge Collection Spectroscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(24): 20213-20218, 2018 Jun 20.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29882405
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