Detalles de la búsqueda
1.
Ultrathin ferroic HfO2-ZrO2 superlattice gate stack for advanced transistors.
Nature
; 604(7904): 65-71, 2022 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35388197
2.
Wafer-scale striped network transistors based on purified semiconducting carbon nanotubes for commercialization.
Nanotechnology
; 34(40)2023 Jul 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37399798
3.
Emerging memory technologies for neuromorphic computing.
Nanotechnology
; 30(3): 032001, 2019 Jan 18.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30422812
4.
Gated Schottky Diode-Type Synaptic Device with a Field-Plate Structure to Reduce the Forward Current.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6135-6138, 2019 10 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026923
5.
Humidity-Sensitive Field Effect Transistor with In2O3 Nanoparticles as a Sensing Layer.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6656-6662, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31027006
6.
Simulation of a randomly percolated CNT network for an improved analog physical unclonable function.
Sci Rep
; 14(1): 8811, 2024 Apr 16.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38627523
7.
On-Chip Annealing Using Embedded Micro-Heater for Highly Sensitive and Selective Gas Detection.
Adv Sci (Weinh)
; : e2401821, 2024 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38738755
8.
Gate Capacitance Coupling of Double-Gate Carbon Nanotube Network Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(5): 6221-6227, 2024 Feb 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38270589
9.
Short-Term Memory Characteristics of IGZO-Based Three-Terminal Devices.
Materials (Basel)
; 16(3)2023 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36770256
10.
Efficient Hybrid Training Method for Neuromorphic Hardware Using Analog Nonvolatile Memory.
IEEE Trans Neural Netw Learn Syst
; PP2023 Nov 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37999961
11.
Reconfigurable neuromorphic computing block through integration of flash synapse arrays and super-steep neurons.
Sci Adv
; 9(29): eadg9123, 2023 07 21.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37467329
12.
Phenomenological analysis of random telegraph noise in amorphous TiOx-based bipolar resistive switching random access memory devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(7): 5392-6, 2012 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22966577
13.
Investigation of Deep Spiking Neural Networks Utilizing Gated Schottky Diode as Synaptic Devices.
Micromachines (Basel)
; 13(11)2022 Oct 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36363821
14.
Compact SPICE Model of Memristor with Barrier Modulated Considering Short- and Long-Term Memory Characteristics by IGZO Oxygen Content.
Micromachines (Basel)
; 13(10)2022 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36295983
15.
Effect of Post-Annealing on Barrier Modulations in Pd/IGZO/SiO2/p+-Si Memristors.
Nanomaterials (Basel)
; 12(20)2022 Oct 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36296772
16.
Comprehensive and accurate analysis of the working principle in ferroelectric tunnel junctions using low-frequency noise spectroscopy.
Nanoscale
; 14(6): 2177-2185, 2022 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34989737
17.
Synergistic improvement of sensing performance in ferroelectric transistor gas sensors using remnant polarization.
Mater Horiz
; 9(6): 1623-1630, 2022 06 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35485256
18.
Analysis of Threshold Voltage Shift for Full VGS/VDS/Oxygen-Content Span under Positive Bias Stress in Bottom-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors.
Micromachines (Basel)
; 12(3)2021 Mar 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33808738
19.
Pruning for Hardware-Based Deep Spiking Neural Networks Using Gated Schottky Diode as Synaptic Devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6603-6608, 2020 11 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-32604482
20.
Effect of Word-Line Bias on Linearity of Multi-Level Conductance Steps for Multi-Layer Neural Networks Based on NAND Flash Cells.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(7): 4138-4142, 2020 07 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31968431