Detalles de la búsqueda
1.
In situ TEM observation of void formation and migration in phase change memory devices with confined nanoscale Ge2Sb2Te5.
Nanoscale Adv
; 2(9): 3841-3848, 2020 Sep 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36132805
2.
In situ TEM observation on the interface-type resistive switching by electrochemical redox reactions at a TiN/PCMO interface.
Nanoscale
; 9(2): 582-593, 2017 Jan 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27886327
3.
Nanometer-Scale Phase Transformation Determines Threshold and Memory Switching Mechanism.
Adv Mater
; 29(30)2017 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28605067
4.
Solid-State Conversion Chemistry of Multicomponent Nanocrystals Cast in a Hollow Silica Nanosphere: Morphology-Controlled Syntheses of Hybrid Nanocrystals.
ACS Nano
; 9(11): 10719-28, 2015 Nov 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26517204
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