Detalles de la búsqueda
1.
Development and analysis of thick GaN drift layers on 200 mm CTE-matched substrate for vertical device processing.
Sci Rep
; 13(1): 15931, 2023 Sep 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37741914
2.
Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs.
Micromachines (Basel)
; 12(2)2021 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33671856
3.
Challenges and Perspectives for Vertical GaN-on-Si Trench MOS Reliability: From Leakage Current Analysis to Gate Stack Optimization.
Materials (Basel)
; 14(9)2021 Apr 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33946943
4.
Understanding the Leakage Mechanisms and Breakdown Limits of Vertical GaN-on-Si p+n-n Diodes: The Road to Reliable Vertical MOSFETs.
Micromachines (Basel)
; 12(4)2021 Apr 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33923422
5.
Use of Bilayer Gate Insulator in GaN-on-Si Vertical Trench MOSFETs: Impact on Performance and Reliability.
Materials (Basel)
; 13(21)2020 Oct 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33114060
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