Detalles de la búsqueda
1.
Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure.
Phys Rev Lett
; 115(24): 247602, 2015 Dec 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26705655
2.
Resonant addressing and manipulation of silicon vacancy qubits in silicon carbide.
Phys Rev Lett
; 109(22): 226402, 2012 Nov 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23368138
3.
Self-Trapped Excitons in Ionic-Covalent Silver Halide Crystals and Nanostructures: High-Frequency EPR, ESE, ENDOR and ODMR Studies.
Appl Magn Reson
; 39(4): 453-486, 2010 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21151483
4.
Excitation and coherent control of spin qudit modes in silicon carbide at room temperature.
Nat Commun
; 10(1): 1678, 2019 04 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30975985
5.
Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide.
Sci Rep
; 6: 33301, 2016 09 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27624819
6.
Magnetic field and temperature sensing with atomic-scale spin defects in silicon carbide.
Sci Rep
; 4: 5303, 2014 Jul 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24993103
7.
Silicon carbide light-emitting diode as a prospective room temperature source for single photons.
Sci Rep
; 3: 1637, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23572127
8.
Recombination processes in systems based on doped ionic crystals with impurity-related nanostructures.
J Phys Condens Matter
; 22(29): 295306, 2010 Jul 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21399302
9.
High-frequency EPR and ENDOR spectroscopy on semiconductor nanocrystals.
Magn Reson Chem
; 43 Spec no.: S140-4, 2005 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16235209
Resultados
1 -
9
de 9
1
Próxima >
>>