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1.
Copper acceptors in uniaxially stressed germanium: 1s3 to 1s2 2s1 ground-state transformation.
Phys Rev Lett
; 72(14): 2231-2234, 1994 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10055822
2.
Hopping Conduction and Metal-Insulator Transition in Isotopically Enriched Neutron-Transmutation-Doped 70Ge:Ga.
Phys Rev Lett
; 77(19): 4058-4061, 1996 Nov 04.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10062377
3.
Dependence of the hole lifetime on uniaxial stress in Ga-doped Ge.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(11): 7349-7352, 1995 Mar 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9977310
4.
Non-Ohmic hopping conduction in doped germanium at T<1 K.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(8): 4516-4519, 1992 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10002076
5.
Transient photoconductivity in Ge:Be due to Be+ formation.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(6): 3677-3682, 1989 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9948689
6.
Bias-induced nonlinearities in the dc I-V characteristics of neutron-transmutation-doped germanium at liquid-4He temperatures.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(12): 8476-8482, 1989 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9947561
7.
Neutral-impurity scattering in isotopically engineered Ge.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(23): 16995-17000, 1994 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9976095
8.
Evidence for correlated hole distribution in neutron-transmutation-doped isotopically controlled germanium.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(12): 7797-7804, 1996 Mar 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9982226
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