Detalles de la búsqueda
1.
Correlation of electrical and structural properties of single as-grown GaAs nanowires on Si (111) substrates.
Nano Lett
; 15(2): 981-9, 2015 Feb 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25631459
2.
Evolution of polytypism in GaAs nanowires during growth revealed by time-resolved in situ x-ray diffraction.
Phys Rev Lett
; 114(5): 055504, 2015 Feb 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25699455
3.
Role of liquid indium in the structural purity of wurtzite InAs nanowires that grow on Si(111).
Nano Lett
; 14(12): 6878-83, 2014 Dec 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25400142
4.
Individual GaAs nanorods imaged by coherent X-ray diffraction.
J Synchrotron Radiat
; 16(Pt 6): 796-802, 2009 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19844016
5.
Alloy formation during molecular beam epitaxy growth of Si-doped InAs nanowires on GaAs[111]B.
J Appl Crystallogr
; 46(Pt 4): 893-897, 2013 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24046494
6.
Grazing-incidence X-ray diffraction of single GaAs nanowires at locations defined by focused ion beams.
J Appl Crystallogr
; 46(Pt 4): 887-892, 2013 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24046493
7.
Lattice parameter accommodation between GaAs(111) nanowires and Si(111) substrate after growth via Au-assisted molecular beam epitaxy.
Nanoscale Res Lett
; 7: 109, 2012 Feb 08.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22315928
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