Detalles de la búsqueda
1.
Atomistic mechanism of boron diffusion in silicon.
Phys Rev Lett
; 97(25): 255902, 2006 Dec 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17280368
2.
Effect of strain on the carrier mobility in heavily doped p-type Si.
Phys Rev Lett
; 97(13): 136605, 2006 Sep 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17026061
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