Detalles de la búsqueda
1.
Tuning the light emission from GaAs nanowires over 290 meV with uniaxial strain.
Nano Lett
; 13(3): 917-24, 2013 Mar 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23237482
2.
Selective area growth of III-V nanowires and their heterostructures on silicon in a nanotube template: towards monolithic integration of nano-devices.
Nanotechnology
; 24(22): 225304, 2013 Jun 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23637047
3.
Silicon nanowire Esaki diodes.
Nano Lett
; 12(2): 699-703, 2012 Feb 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22214422
4.
In situ doping of catalyst-free InAs nanowires.
Nanotechnology
; 23(50): 505708, 2012 Dec 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23187068
5.
Trap-assisted tunneling in Si-InAs nanowire heterojunction tunnel diodes.
Nano Lett
; 11(10): 4195-9, 2011 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21875101
6.
Mapping active dopants in single silicon nanowires using off-axis electron holography.
Nano Lett
; 9(11): 3837-43, 2009 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19780569
7.
Fully depleted nanowire field-effect transistor in inversion mode.
Small
; 3(2): 230-4, 2007 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17199244
8.
Donor deactivation in silicon nanostructures.
Nat Nanotechnol
; 4(2): 103-7, 2009 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19197312
9.
Doping limits of grown in situ doped silicon nanowires using phosphine.
Nano Lett
; 9(1): 173-7, 2009 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19099512
10.
Tunable double quantum dots in InAs nanowires defined by local gate electrodes.
Nano Lett
; 5(7): 1487-90, 2005 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16178262
11.
Electrical transport through a single nanoscale semiconductor branch point.
Nano Lett
; 5(7): 1519-23, 2005 Jul.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-16178268
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