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1.
Fabrication of Specimens for Atom Probe Tomography Using a Combined Gallium and Neon Focused Ion Beam Milling Approach.
Microsc Microanal
; 29(5): 1628-1638, 2023 Sep 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37584510
2.
Crystallographic polarity measurements in two-terminal GaN nanowire devices by lateral piezoresponse force microscopy.
Nanotechnology
; 31(42): 424002, 2020 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32580185
3.
Field Ion Emission in an Atom Probe Microscope Triggered by Femtosecond-Pulsed Coherent Extreme Ultraviolet Light.
Microsc Microanal
; 26(2): 258-266, 2020 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32160938
4.
UV LEDs based on p-i-n core-shell AlGaN/GaN nanowire heterostructures grown by N-polar selective area epitaxy.
Nanotechnology
; 30(23): 234001, 2019 Jun 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30776789
5.
Eutectic Formation, V/III Ratio and Controlled Polarity Inversion in Nitrides on Silicon[1].
Phys Status Solidi B Basic Solid State Phys
; 2572019.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33335451
6.
Comparison of convergent beam electron diffraction and annular bright field atomic imaging for GaN polarity determination.
J Mater Res
; 322017.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31274956
7.
GaN nanowire coated with atomic layer deposition of tungsten: a probe for near-field scanning microwave microscopy.
Nanotechnology
; 25(41): 415502, 2014 Oct 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25258349
8.
Atom Probe Tomography Using a Wavelength-Tunable Femtosecond-Pulsed Coherent Extreme Ultraviolet Light Source.
Microsc Microanal
; 25(Suppl 2): 314-315, 2019 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35979403
9.
On-chip optical interconnects made with gallium nitride nanowires.
Nano Lett
; 13(2): 374-7, 2013 Feb 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23324057
10.
Microstructure evolution and development of annealed Ni/Au contacts to GaN nanowires.
Nanotechnology
; 23(36): 365203, 2012 Sep 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22910019
11.
An algorithm for correcting systematic energy deficits in the atom probe mass spectra of insulating samples.
Ultramicroscopy
; 213: 112995, 2020 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32408251
12.
A Three-Dimensional Atom Probe Microscope Incorporating a Wavelength-Tuneable Femtosecond-Pulsed Coherent Extreme Ultraviolet Light Source.
MRS Adv
; 4(44-45)2019 Jul 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36452273
13.
Electron-Enhanced Atomic Layer Deposition of Boron Nitride Thin Films at Room Temperature and 100 °C.
J Phys Chem C Nanomater Interfaces
; 122(17)2018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33101567
14.
Core-shell p-i-n GaN nanowire LEDs by N-polar selective area growth.
Proc SPIE Int Soc Opt Eng
; 107252018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33343056
15.
Near-Field Control and Imaging of Free Charge Carrier Variations in GaN Nanowires.
Appl Phys Lett
; 108(7)2016.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38486617
16.
Analysis of contact interfaces for single GaN nanowire devices.
J Vis Exp
; (81): e50738, 2013 Nov 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24300746
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