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1.
Bottom-up fabrication of InAs-on-nothing MOSFET using selective area molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 30(3): 035301, 2019 Jan 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30452388
2.
100 nm AlSb/InAs HEMT for ultra-low-power consumption, low-noise applications.
ScientificWorldJournal
; 2014: 136340, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24707193
3.
Numerical and experimental assessment of charge control in III-V nano-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(2): 771-5, 2013 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23646513
4.
Gate length variation effect on performance of gate-first self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET.
PLoS One
; 8(12): e82731, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24367548
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