Detalles de la búsqueda
1.
Electrical properties of GaSb/InAsSb core/shell nanowires.
Nanotechnology
; 25(42): 425201, 2014 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25264978
2.
Diameter-Dependent photocurrent in InAsSb nanowire infrared photodetectors.
Nano Lett
; 13(4): 1380-5, 2013 Apr 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23464650
3.
Controlling the abruptness of axial heterojunctions in III-V nanowires: beyond the reservoir effect.
Nano Lett
; 12(6): 3200-6, 2012 Jun 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22642741
4.
Single InAs/GaSb nanowire low-power CMOS inverter.
Nano Lett
; 12(11): 5593-7, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23043243
5.
Uniform and position-controlled InAs nanowires on 2" Si substrates for transistor applications.
Nanotechnology
; 23(1): 015302, 2012 Jan 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22155896
6.
High current density Esaki tunnel diodes based on GaSb-InAsSb heterostructure nanowires.
Nano Lett
; 11(10): 4222-6, 2011 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21894940
7.
InAs/GaSb heterostructure nanowires for tunnel field-effect transistors.
Nano Lett
; 10(10): 4080-5, 2010 Oct 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20735074
8.
Diameter limitation in growth of III-Sb-containing nanowire heterostructures.
ACS Nano
; 7(4): 3668-75, 2013 Apr 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23464707
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