Detalles de la búsqueda
1.
Long indium-rich InGaAs nanowires by SAG-HVPE.
Nanotechnology
; 35(19)2024 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38316054
2.
Optical net gain measurement on Al0.07Ga0.93N/GaN multi-quantum wells.
Opt Express
; 30(14): 25219-25233, 2022 Jul 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36237057
3.
AlGaN/GaN asymmetric graded-index separate confinement heterostructures designed for electron-beam pumped UV lasers.
Opt Express
; 29(9): 13084-13093, 2021 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33985051
4.
Comprehensive model toward optimization of SAG In-rich InGaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy.
Nanotechnology
; 32(15): 155601, 2021 Apr 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33434893
5.
The role of surface diffusion in the growth mechanism of III-nitride nanowires and nanotubes.
Nanotechnology
; 32(8): 085606, 2021 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33147580
6.
Growth of zinc-blende GaN on muscovite mica by molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 32(2): 025601, 2021 Jan 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32906087
7.
Correlative investigation of Mg doping in GaN layers grown at different temperatures by atom probe tomography and off-axis electron holography.
Nanotechnology
; 31(4): 045702, 2020 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31577995
8.
Si Doping of Vapor-Liquid-Solid GaAs Nanowires: n-Type or p-Type?
Nano Lett
; 19(7): 4498-4504, 2019 Jul 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31203632
9.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90.
Nanotechnology
; 30(4): 044001, 2019 Jan 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30457977
10.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red.
Nanotechnology
; 29(46): 465602, 2018 Nov 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30160245
11.
Dopant radial inhomogeneity in Mg-doped GaN nanowires.
Nanotechnology
; 29(25): 255706, 2018 Jun 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29620532
12.
Thin-Wall GaN/InAlN Multiple Quantum Well Tubes.
Nano Lett
; 17(6): 3347-3355, 2017 06 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28441498
13.
Self-catalyzed GaAs nanowires on silicon by hydride vapor phase epitaxy.
Nanotechnology
; 28(12): 125602, 2017 Mar 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28140362
14.
InGaN nanowires with high InN molar fraction: growth, structural and optical properties.
Nanotechnology
; 27(19): 195704, 2016 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27041669
15.
Flexible Light-Emitting Diodes Based on Vertical Nitride Nanowires.
Nano Lett
; 15(10): 6958-64, 2015 Oct 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26322549
16.
Ultralong and defect-free GaN nanowires grown by the HVPE process.
Nano Lett
; 14(2): 559-62, 2014 Feb 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24393103
17.
Effect of Extended Defects on AlGaN Quantum Dots for Electron-Pumped Ultraviolet Emitters.
ACS Nano
; 18(18): 11886-11897, 2024 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38651233
18.
M-plane core-shell InGaN/GaN multiple-quantum-wells on GaN wires for electroluminescent devices.
Nano Lett
; 11(11): 4839-45, 2011 Nov 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21967509
19.
Solubility Limit of Ge Dopants in AlGaN: A Chemical and Microstructural Investigation Down to the Nanoscale.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(3): 4165-4173, 2021 Jan 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33449632
20.
Ordering of Pd(2+) and Pd(4+) in the mixed-valent palladate KPd(2)O(3).
Inorg Chem
; 49(4): 1295-7, 2010 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20067297