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1.
In Situ Smoothing of Facets on Spalled GaAs(100) Substrates during OMVPE Growth of III-V Epilayers, Solar Cells, and Other Devices: The Impact of Surface Impurities/Dopants.
Cryst Growth Des
; 24(8): 3218-3227, 2024 Apr 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38659661
2.
Nucleation and Growth of GaAs on a Carbon Release Layer by Halide Vapor Phase Epitaxy.
ACS Omega
; 8(47): 45088-45095, 2023 Nov 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38046304
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