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1.
Carrier Trap Density Reduction at SiO2/4H-Silicon Carbide Interface with Annealing Processes in Phosphoryl Chloride and Nitride Oxide Atmospheres.
Materials (Basel)
; 16(12)2023 Jun 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37374564
2.
Determination of mass density, dielectric, elastic, and piezoelectric constants of bulk GaN crystal.
IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control
; 58(11): 2469-74, 2011 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22083779
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