Detalles de la búsqueda
1.
Giant Mechano-Optoelectronic Effect in an Atomically Thin Semiconductor.
Nano Lett
; 18(4): 2351-2357, 2018 04 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29558623
2.
Monolayer Molybdenum Disulfide Transistors with Single-Atom-Thick Gates.
Nano Lett
; 18(6): 3807-3813, 2018 06 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29768000
3.
Cross-Plane Carrier Transport in Van der Waals Layered Materials.
Small
; 14(20): e1703808, 2018 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29659147
4.
Flexible integrated circuits and multifunctional electronics based on single atomic layers of MoS2 and graphene.
Nanotechnology
; 26(11): 115202, 2015 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25709100
5.
Mixed-dimensional InAs nanowire on layered molybdenum disulfide heterostructures via selective-area van der Waals epitaxy.
Nanoscale Adv
; 3(10): 2802-2811, 2021 May 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36134188
6.
Hydrogen Plasma Exposure of Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors and Prevention of Desulfurization by Monolayer Graphene.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(33): 37305-37312, 2020 Aug 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32702966
7.
The nature of catalyst particles and growth mechanisms of GaN nanowires grown by Ni-assisted metal-organic chemical vapor deposition.
Nanotechnology
; 20(8): 085610, 2009 Feb 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19417458
8.
Van der Waals interfaces in epitaxial vertical metal/2D/3D semiconductor heterojunctions of monolayer MoS 2 and GaN.
2d Mater
; 5(4)2018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38616955
9.
Large scale 2D/3D hybrids based on gallium nitride and transition metal dichalcogenides.
Nanoscale
; 10(1): 336-341, 2017 Dec 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29215125
10.
Enabling Ultrasensitive Photo-detection Through Control of Interface Properties in Molybdenum Disulfide Atomic Layers.
Sci Rep
; 6: 39465, 2016 12 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27995992
11.
High Luminescence Efficiency in MoS2 Grown by Chemical Vapor Deposition.
ACS Nano
; 10(7): 6535-41, 2016 07 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27291297
12.
Vertical 2D/3D Semiconductor Heterostructures Based on Epitaxial Molybdenum Disulfide and Gallium Nitride.
ACS Nano
; 10(3): 3580-8, 2016 Mar 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26866442
13.
Highly scalable, atomically thin WSe2 grown via metal-organic chemical vapor deposition.
ACS Nano
; 9(2): 2080-7, 2015 Feb 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25625184
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