Detalles de la búsqueda
1.
On the switching dynamics of epitaxial ferroelectric CeO2-HfO2 thin film capacitors.
Nano Converg
; 9(1): 56, 2022 Dec 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36515821
2.
Utilizing the Switching Stochasticity of HfO2/TiOx-Based ReRAM Devices and the Concept of Multiple Device Synapses for the Classification of Overlapping and Noisy Patterns.
Front Neurosci
; 15: 661856, 2021.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34163323
3.
Understanding the Coexistence of Two Bipolar Resistive Switching Modes with Opposite Polarity in Pt/TiO2/Ti/Pt Nanosized ReRAM Devices.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(35): 29766-29778, 2018 Sep 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30088755
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