Detalles de la búsqueda
1.
Self-rectifying resistance switching memory based on a dynamic p-n junction.
Nanotechnology
; 32(8): 085203, 2021 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33147574
2.
Pinning and Depinning of Domain Switching in Ferroelectric HfO2 Freestanding Membrane.
Microsc Microanal
; 29(Supplement_1): 1822, 2023 Jul 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37613855
3.
Fabrication of Self-Healable and Patternable Polypyrrole/Agarose Hybrid Hydrogels for Smart Bioelectrodes.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(2): 1400-4, 2016 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27433594
4.
Deterministic Orientation Control of Ferroelectric HfO2 Thin Film Growth by a Topotactic Phase Transition of an Oxide Electrode.
ACS Nano
; 18(20): 12707-12715, 2024 May 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38733336
5.
Enhanced ferroelectric switching speed of Si-doped HfO2 thin film tailored by oxygen deficiency.
Sci Rep
; 11(1): 6290, 2021 Mar 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33737670
6.
Complementary Resistive Switching and Synaptic-Like Memory Behavior in an Epitaxial SrFeO2.5 Thin Film through Oriented Oxygen-Vacancy Channels.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(37): 41740-41748, 2020 Sep 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32799524
7.
Scale-free ferroelectricity induced by flat phonon bands in HfO2.
Science
; 369(6509): 1343-1347, 2020 09 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32616670
8.
Ferroelectric Polarization-Switching Dynamics and Wake-Up Effect in Si-Doped HfO2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(3): 3142-3149, 2019 Jan 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30592198
9.
Stable Subloop Behavior in Ferroelectric Si-Doped HfO2.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(42): 38929-38936, 2019 Oct 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31576734
10.
A Room-Temperature Ferroelectric Ferromagnet in a 1D Tetrahedral Chain Network.
Adv Mater
; 31(24): e1808104, 2019 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31034128
11.
Selective control of multiple ferroelectric switching pathways using a trailing flexoelectric field.
Nat Nanotechnol
; 13(5): 366-370, 2018 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29531332
12.
Brownmillerite thin films as fast ion conductors for ultimate-performance resistance switching memory.
Nanoscale
; 9(29): 10502-10510, 2017 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28708191
13.
Sb/Cu2Sb-TiC-C Composite Anode for High-Performance Sodium-Ion Batteries.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(2): 1890-3, 2016 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27433694
14.
In-Plane Crystallinity Effect on the Unipolar Resistance Switching Behavior of NiO Thin Film.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(2): 1924-7, 2016 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27433702
15.
Ferroelectric switching dynamics of topological vortex domains in a hexagonal manganite.
Adv Mater
; 25(17): 2415-21, 2013 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23494932
16.
Flexoelectric effect in the reversal of self-polarization and associated changes in the electronic functional properties of BiFeO(3) thin films.
Adv Mater
; 25(39): 5643-9, 2013 Oct 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23897638
17.
Oxide double-layer nanocrossbar for ultrahigh-density bipolar resistive memory.
Adv Mater
; 23(35): 4063-7, 2011 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21809400
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