Detalles de la búsqueda
1.
Effective absorption correction for energy dispersive X-ray mapping in a scanning transmission electron microscope: analysing the local indium distribution in rough samples of InGaN alloy layers.
J Microsc
; 268(3): 248-253, 2017 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28960349
2.
The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy: effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template.
J Microsc
; 268(3): 269-275, 2017 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28988453
3.
The microstructure, local indium composition and photoluminescence in green-emitting InGaN/GaN quantum wells.
J Microsc
; 268(3): 305-312, 2017 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29023712
4.
Influence of nanoscale faceting on the tunneling properties of near broken gap InAs/AlGaSb heterojunctions grown by selective area epitaxy.
Nanotechnology
; 25(46): 465302, 2014 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25354494
5.
High Curie temperature for La(0.7)Sr(0.3)MnO(3) thin films deposited on CeO(2) /YSZ-based buffered silicon substrates.
J Phys Condens Matter
; 21(30): 306005, 2009 Jul 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21828561
6.
Defect structure in heteroepitaxial semipolar (1122) (Ga, Al)N.
J Phys Condens Matter
; 22(35): 355802, 2010 Sep 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21403298
Resultados
1 -
6
de 6
1
Próxima >
>>