Detalles de la búsqueda
1.
Efficient Removal of Cu2+ in Water by Carboxymethylated Cellulose Nanofibrils: Performance and Mechanism.
Biomacromolecules
; 20(12): 4466-4475, 2019 12 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31710481
2.
Bipolar Switching Properties of the Transparent Indium Tin Oxide Thin Film Resistance Random Access Memories.
Nanomaterials (Basel)
; 13(4)2023 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36839057
3.
Activation Energy and Bipolar Switching Properties for the Co-Sputtering of ITOX:SiO2 Thin Films on Resistive Random Access Memory Devices.
Nanomaterials (Basel)
; 13(15)2023 Jul 26.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37570498
4.
Dispersing boron nitride nanosheets with carboxymethylated cellulose nanofibrils for strong and thermally conductive nanocomposite films with improved water-resistance.
Carbohydr Polym
; 321: 121250, 2023 Dec 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37739515
5.
Influences of Cu Doping on the Microstructure, Optical and Resistance Switching Properties of Zinc OxideThin Films.
Nanomaterials (Basel)
; 13(19)2023 Sep 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37836326
6.
First Order Rate Law Analysis for Reset State in Vanadium Oxide Thin Film Resistive Random Access Memory Devices.
Nanomaterials (Basel)
; 13(1)2023 Jan 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36616108
7.
Mechanically stable core-shell cellulose nanofibril/sodium alginate hydrogel beads with superior cu(II) removal capacity.
Int J Biol Macromol
; 222(Pt A): 1353-1363, 2022 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36150570
8.
Improving the degree of polymerization of cellulose nanofibers by largely preserving native structure of wood fibers.
Carbohydr Polym
; 296: 119919, 2022 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36087974
9.
Dielectric, Piezoelectric, and Vibration Properties of the LiF-Doped (Ba0.95Ca0.05)(Ti0.93Sn0.07)O3 Lead-Free Piezoceramic Sheets.
Materials (Basel)
; 11(2)2018 Jan 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29364832
10.
Fabrication of one-transistor-capacitor structure of nonvolatile TFT ferroelectric RAM devices using Ba(Zr0.1Ti0.9)O3 gated oxide film.
IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control
; 54(9): 1726-30, 2007 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17941379
11.
Bipolar Switching Properties of Neodymium Oxide RRAM Devices Using by a Low Temperature Improvement Method.
Materials (Basel)
; 10(12)2017 Dec 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29231867
12.
Structural, Electrical, Magnetic and Resistive Switching Properties of the Multiferroic/Ferroelectric Bilayer Thin Films.
Materials (Basel)
; 10(11)2017 Nov 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29156636
13.
Schottky Emission Distance and Barrier Height Properties of Bipolar Switching Gd:SiOx RRAM Devices under Different Oxygen Concentration Environments.
Materials (Basel)
; 11(1)2017 Dec 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29283368
14.
Improvement of Bipolar Switching Properties of Gd:SiOx RRAM Devices on Indium Tin Oxide Electrode by Low-Temperature Supercritical CO2 Treatment.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 52, 2016 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26831690
15.
Illumination Effect on Bipolar Switching Properties of Gd:SiO2 RRAM Devices Using Transparent Indium Tin Oxide Electrode.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 224, 2016 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27117634
16.
Hydrogen induced redox mechanism in amorphous carbon resistive random access memory.
Nanoscale Res Lett
; 9(1): 52, 2014 Jan 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24475979
17.
High performance of graphene oxide-doped silicon oxide-based resistance random access memory.
Nanoscale Res Lett
; 8(1): 497, 2013 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24261454
18.
Space electric field concentrated effect for Zr:SiO2 RRAM devices using porous SiO2 buffer layer.
Nanoscale Res Lett
; 8(1): 523, 2013 Dec 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24330524
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