Detalles de la búsqueda
1.
Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiO x -based memristor.
Nanotechnology
; 31(50): 505704, 2020 Dec 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33021224
2.
Novel Technique for Full-Thickness Abdominal Wall Closure in Laparoscopic Ventral Hernia Repair.
Surg Technol Int
; 35: 123-128, 2019 11 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31571190
3.
Remarkably fast and reusable photocatalysis by UV annealed Cu2O-SnO2 p-n heterojunction.
Chemosphere
; 349: 140787, 2024 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38008294
4.
Superior High Transistor's Effective Mobility of 325 cm2/V-s by 5 nm Quasi-Two-Dimensional SnON nFET.
Nanomaterials (Basel)
; 13(12)2023 Jun 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37368322
5.
Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor.
Nanomaterials (Basel)
; 12(2)2022 Jan 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35055277
6.
Exceedingly High Performance Top-Gate P-Type SnO Thin Film Transistor with a Nanometer Scale Channel Layer.
Nanomaterials (Basel)
; 11(1)2021 Jan 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33401635
7.
Improved Device Distribution in High-Performance SiNx Resistive Random Access Memory via Arsenic Ion Implantation.
Nanomaterials (Basel)
; 11(6)2021 May 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34070624
8.
Effects of Microwave and Furnace Annealing for P-Type SnO Thin Film Material in Oxygen Ambient.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(9): 4763-4767, 2021 Sep 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33691863
9.
Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride.
Sci Rep
; 11(1): 2417, 2021 Jan 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33510310
10.
High-Performance Top-Gate Thin-Film Transistor with an Ultra-Thin Channel Layer.
Nanomaterials (Basel)
; 10(11)2020 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33126463
11.
High Performance All Nonmetal SiNx Resistive Random Access Memory with Strong Process Dependence.
Sci Rep
; 10(1): 2807, 2020 Feb 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32071358
12.
Study of Atmospheric-Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Fabricated Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors with In-Situ Hydrogen Plasma Treatment.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(7): 4110-4113, 2020 Jul 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31968427
13.
Reliability of Atmosphere Pressure-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Deposited Indium Gallium Zinc Oxide Resistive Random Access Memory Device with Microwave Annealing.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(7): 4057-4060, 2020 Jul 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31968420
14.
Investigation of Microwave Annealing on Resistive Random Access Memory Device with Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Deposited IGZO Layer.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(7): 4244-4247, 2020 07 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31968450
15.
Forming-Free SiGeOx/TiOy Resistive Random Access Memories Featuring Large Current Distribution Windows.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(12): 7916-7919, 2019 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31196309
16.
All Nonmetal Resistive Random Access Memory.
Sci Rep
; 9(1): 6144, 2019 Apr 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30992533
17.
Remarkably High Hole Mobility Metal-Oxide Thin-Film Transistors.
Sci Rep
; 8(1): 889, 2018 01 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29343726
18.
A Novel Read Scheme for Large Size One-Resistor Resistive Random Access Memory Array.
Sci Rep
; 7: 42375, 2017 02 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28186147
19.
Remarkably High Mobility Thin-Film Transistor on Flexible Substrate by Novel Passivation Material.
Sci Rep
; 7(1): 1147, 2017 04 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28442727
20.
New Material Transistor with Record-High Field-Effect Mobility among Wide-Band-Gap Semiconductors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(30): 19187-91, 2016 Aug 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27454211