Detalles de la búsqueda
1.
The influence of Fermi level position at the GaN surface on carrier transfer across the MAPbI3/GaN interface.
Phys Chem Chem Phys
; 25(24): 16492-16498, 2023 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37306624
2.
Lateral carrier injection for the uniform pumping of several quantum wells in InGaN/GaN light-emitting diodes.
Opt Express
; 29(3): 3001-3010, 2021 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33770908
3.
Nitride light-emitting diodes for cryogenic temperatures.
Opt Express
; 28(20): 30299-30308, 2020 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33114912
4.
Harnessing III-Nitride Built-In Field in Multi-Quantum Well LEDs.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2024 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38666754
5.
Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current.
Nat Commun
; 14(1): 7562, 2023 Nov 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37985775
6.
Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN.
Materials (Basel)
; 15(17)2022 Aug 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36079311
7.
Negative Magnetoresistivity in Highly Doped n-Type GaN.
Materials (Basel)
; 15(20)2022 Oct 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36295135
8.
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs.
Materials (Basel)
; 15(1)2021 Dec 29.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35009382
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