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EELS Characterization of Niobium Oxide Memristor Devices.
Microsc Microanal
; 29(Supplement_1): 111-112, 2023 Jul 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37613446
2.
In Situ Hydrogen Plasma Exposure for Varying the Stoichiometry of Atomic Layer Deposited Niobium Oxide Films for Use in Neuromorphic Computing Applications.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(14): 16639-16647, 2020 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32223206
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