Detalles de la búsqueda
1.
Uniform multilevel switching and synaptic properties in RF-sputtered InGaZnO-based memristor treated with oxygen plasma.
J Chem Phys
; 159(18)2023 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37962452
2.
Facile Synthesis of Biocarbon-Based MoS2 Composite for High-Performance Supercapacitor Application.
Nano Lett
; 22(20): 8161-8167, 2022 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36194392
3.
Analytically and empirically consistent characterization of the resistive switching mechanism in a Ag conducting-bridge random-access memory device through a pseudo-liquid interpretation approach.
Phys Chem Chem Phys
; 23(48): 27234-27243, 2021 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34853837
4.
Design Optimization and Analysis of InGaAs/InAs/InGaAs Heterojunction-Based Electron Hole Bilayer Tunneling FETs.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6070-6076, 2019 Oct 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026910
5.
Scaling Effect on Silicon Nitride Memristor with Highly Doped Si Substrate.
Small
; 14(19): e1704062, 2018 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29665257
6.
Simulation of One-Transistor Dynamic Random-Access Memory Based on Symmetric Double-Gate Si Junctionless Transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 6593-6597, 2018 09 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29677840
7.
InGaN/GaN light-emitting diode having direct hole injection plugs and its high-current operation.
Opt Express
; 25(6): 6440-6449, 2017 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28380994
8.
Nano-cone resistive memory for ultralow power operation.
Nanotechnology
; 28(12): 125207, 2017 Mar 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28229954
9.
Analysis on RF parameters of nanoscale tunneling field-effect transistor based on InAs/InGaAs/InP heterojunctions.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(12): 8133-6, 2013 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24266205
10.
Short-Term Memory Characteristics of IGZO-Based Three-Terminal Devices.
Materials (Basel)
; 16(3)2023 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36770256
11.
The Enhanced Performance of Neuromorphic Computing Hardware in an ITO/ZnO/HfOx/W Bilayer-Structured Memory Device.
Nanomaterials (Basel)
; 13(21)2023 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37947701
12.
Analog Memory and Synaptic Plasticity in an InGaZnO-Based Memristor by Modifying Intrinsic Oxygen Vacancies.
Materials (Basel)
; 16(24)2023 Dec 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38138652
13.
Synaptic plasticity and non-volatile memory characteristics in TiN-nanocrystal-embedded 3D vertical memristor-based synapses for neuromorphic systems.
Nanoscale
; 15(32): 13239-13251, 2023 Aug 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37525621
14.
Correction: Synaptic plasticity and non-volatile memory characteristics in TiN-nanocrystal-embedded 3D vertical memristor-based synapses for neuromorphic systems.
Nanoscale
; 15(34): 14267, 2023 Sep 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37609880
15.
Room-temperature electroluminescence from germanium in an Al(0.3)Ga(0.7)As/Ge heterojunction light-emitting diode by Γ-valley transport.
Opt Express
; 20(14): 14921-7, 2012 Jul 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22772186
16.
Novel Au nanorod/Cu2O composite nanoparticles for a high-performance supercapacitor.
RSC Adv
; 12(15): 9112-9120, 2022 Mar 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35424862
17.
Medium-Temperature-Oxidized GeOx Resistive-Switching Random-Access Memory and Its Applicability in Processing-in-Memory Computing.
Nanoscale Res Lett
; 17(1): 63, 2022 Jul 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35789299
18.
Optimization of Feedback FET with Asymmetric Source Drain Doping Profile.
Micromachines (Basel)
; 13(4)2022 Mar 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35457814
19.
Emulation of synaptic functions with low voltage organic memtransistor for hardware oriented neuromorphic computing.
Sci Rep
; 12(1): 3808, 2022 03 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35264605
20.
Recent Advances in Electrical Doping of 2D Semiconductor Materials: Methods, Analyses, and Applications.
Nanomaterials (Basel)
; 11(4)2021 Mar 24.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33805062