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1.
Defect engineering: reduction effect of hydrogen atom impurities in HfO2-based resistive-switching memory devices.
Nanotechnology
; 23(32): 325702, 2012 Aug 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22825561
2.
High current density and nonlinearity combination of selection device based on TaO(x)/TiO2/TaO(x) structure for one selector-one resistor arrays.
ACS Nano
; 6(9): 8166-72, 2012 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22928469
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