Detalles de la búsqueda
1.
Optimal Nitrogen Incorporation in Nickel Silicide for Thermally Stable Contact Formation.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6468-6472, 2019 10 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31026979
2.
Experimental demonstration of combination-encoding content-addressable memory of 0.75 bits per switch utilizing Hf-Zr-O ferroelectric tunnel junctions.
Mater Horiz
; 2024 May 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38691165
3.
Formation techniques for upper active channel in monolithic 3D integration: an overview.
Nano Converg
; 11(1): 5, 2024 Jan 29.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38285077
4.
The role of NF-κB in breast cancer initiation, growth, metastasis, and resistance to chemotherapy.
Biomed Pharmacother
; 163: 114822, 2023 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37146418
5.
Impact of Pt grain size on ferroelectric properties of zirconium hafnium oxide by chemical solution deposition.
Nano Converg
; 9(1): 45, 2022 Oct 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36197530
6.
Double-gate thin film transistor with suspended-gate applicable to tactile force sensor.
Nano Converg
; 7(1): 31, 2020 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32930906
7.
Residual Image Suppression Through Annealing Process of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor for Plastic Organic Light-Emitting Diode Display.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6877-6883, 2020 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32604530
8.
Minimizing Residual Images of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistor-Based Flexible Organic Light-Emitting Diode Displays by Controlling Oxygen Partial Pressure.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6916-6919, 2020 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32604536
9.
Residual Image Reduction Using Electric Field Shield Metal in Plastic Organic Light-Emitting Diode Display.
J Nanosci Nanotechnol
; 20(11): 6884-6889, 2020 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32604531
10.
Low Temperature Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Hydrazine as the Nitrogen Source.
Materials (Basel)
; 13(15)2020 Jul 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32751836
11.
A Comprehensive Study on the Effect of TiN Top and Bottom Electrodes on Atomic Layer Deposited Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films.
Materials (Basel)
; 13(13)2020 Jul 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32630791
12.
A Neuromorphic Device Implemented on a Salmon-DNA Electrolyte and its Application to Artificial Neural Networks.
Adv Sci (Weinh)
; 6(17): 1901265, 2019 Sep 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31508292
13.
Effects of H2 High-pressure Annealing on HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Capacitors: Chemical Composition and Electrical Characteristics.
Sci Rep
; 7(1): 9769, 2017 08 29.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28852035
14.
High Performance Metal Oxide Field-Effect Transistors with a Reverse Offset Printed Cu Source/Drain Electrode.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(2): 1156-63, 2016 Jan 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26716349
15.
The Effect of Interfacial Dipoles on the Metal-Double Interlayers-Semiconductor Structure and Their Application in Contact Resistivity Reduction.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(51): 35614-35620, 2016 Dec 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27966860
16.
Li-Assisted Low-Temperature Phase Transitions in Solution-Processed Indium Oxide Films for High-Performance Thin Film Transistor.
Sci Rep
; 6: 25079, 2016 04 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27121951
17.
Effects of La Incorporation in Hf Based Dielectric on Leakage Conduction and Carrier Scattering Mechanisms.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7590-2, 2015 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26726378
18.
Solution-processable LaZrOx/SiO2 gate dielectric at low temperature of 180 °C for high-performance metal oxide field-effect transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(21): 18693-703, 2014 Nov 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25285585
19.
Ti-doped indium tin oxide thin films for transparent field-effect transistors: control of charge-carrier density and crystalline structure.
ACS Appl Mater Interfaces
; 3(7): 2522-8, 2011 Jul.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-21663320
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