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1.
Mechanisms of Low-Temperature Nitridation Technology on a TaN Thin Film Resistor for Temperature Sensor Applications.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 275, 2016 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27251325
2.
Physical and chemical mechanisms in oxide-based resistance random access memory.
Nanoscale Res Lett
; 10: 120, 2015.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25873842
3.
Surface scattering mechanisms of tantalum nitride thin film resistor.
Nanoscale Res Lett
; 9(1): 177, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24725295
4.
Hydrogen induced redox mechanism in amorphous carbon resistive random access memory.
Nanoscale Res Lett
; 9(1): 52, 2014 Jan 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24475979
5.
High performance of graphene oxide-doped silicon oxide-based resistance random access memory.
Nanoscale Res Lett
; 8(1): 497, 2013 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24261454
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