Detalles de la búsqueda
1.
Atomic layer deposited Al2O3passivation layer for few-layer WS2field effect transistors.
Nanotechnology
; 32(50)2021 Sep 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34479221
2.
The evolution of surface cleanness and electronic properties of graphene field-effect transistors during mechanical cleaning with atomic force microscopy.
Nanotechnology
; 30(39): 394003, 2019 Sep 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31242472
3.
A role for graphene in silicon-based semiconductor devices.
Nature
; 479(7373): 338-44, 2011 Nov 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22094694
4.
Graphene and thin-film semiconductor heterojunction transistors integrated on wafer scale for low-power electronics.
Nano Lett
; 13(12): 5967-71, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24256403
5.
Graphene for true Ohmic contact at metal-semiconductor junctions.
Nano Lett
; 13(9): 4001-5, 2013 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23978262
6.
Electrical control of kinesin-microtubule motility using a transparent functionalized-graphene substrate.
Nanotechnology
; 24(19): 195102, 2013 May 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23594920
7.
Microstructural Control of Soluble Acene Crystals for Field-Effect Transistor Gas Sensors.
Nanomaterials (Basel)
; 12(15)2022 Jul 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35893530
8.
Simulation of Figures of Merit for Barristor Based on Graphene/Insulator Junction.
Nanomaterials (Basel)
; 12(17)2022 Aug 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36080066
9.
Low-Power Complementary Inverter Based on Graphene/Carbon-Nanotube and Graphene/MoS2 Barristors.
Nanomaterials (Basel)
; 12(21)2022 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36364596
10.
Characteristics of CVD graphene nanoribbon formed by a ZnO nanowire hardmask.
Nanotechnology
; 22(29): 295201, 2011 Jul 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21673381
11.
Semiconductor-less vertical transistor with ION/IOFF of 106.
Nat Commun
; 12(1): 1000, 2021 Feb 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33579924
12.
Large Temperature-Independent Magnetoresistance without Gating Operation in Monolayer Graphene.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(47): 53134-53140, 2020 Nov 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33179499
13.
Enhanced Gas Sensing Properties of Graphene Transistor by Reduced Doping with Hydrophobic Polymer Brush as a Surface Modification Layer.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(49): 55493-55500, 2020 Dec 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33233877
14.
The structural and electrical evolution of graphene by oxygen plasma-induced disorder.
Nanotechnology
; 20(37): 375703, 2009 Sep 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19706946
15.
Author Correction: Planar and van der Waals heterostructures for vertical tunnelling single electron transistors.
Nat Commun
; 10(1): 987, 2019 02 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30804336
16.
Planar and van der Waals heterostructures for vertical tunnelling single electron transistors.
Nat Commun
; 10(1): 230, 2019 01 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30651554
17.
SERS-Based Flavonoid Detection Using Ethylenediamine-ß-Cyclodextrin as a Capturing Ligand.
Nanomaterials (Basel)
; 7(1)2017 Jan 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28336842
18.
Engineering Optical and Electronic Properties of WS2 by Varying the Number of Layers.
ACS Nano
; 9(7): 6854-60, 2015 Jul 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26143940
19.
Graphene barristor, a triode device with a gate-controlled Schottky barrier.
Science
; 336(6085): 1140-3, 2012 Jun 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22604723
20.
Band gap opening by two-dimensional manifestation of peierls instability in graphene.
ACS Nano
; 5(4): 2964-9, 2011 Apr 26.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-21405129