Detalles de la búsqueda
1.
An Improved STEM/EDX Quantitative Method for Dopant Profiling at the Nanoscale.
Microsc Microanal
; 26(1): 76-85, 2020 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31918773
2.
ß-Disubstituted Pentacene Derivatives: Thin Film Structural Properties and Four-Probe Field Effect Mobility.
Chempluschem
; 89(4): e202300611, 2024 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38015568
3.
Large-Scale Monolithic Fabrication of III-V Vertical Nanowires on a Standard Si(100) Microelectronic Substrate.
ACS Omega
; 7(7): 5836-5843, 2022 Feb 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35224344
4.
A differential Hall effect measurement method with sub-nanometre resolution for active dopant concentration profiling in ultrathin doped Si1-x Ge x and Si layers.
Beilstein J Nanotechnol
; 9: 1926-1939, 2018.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30013886
Resultados
1 -
4
de 4
1
Próxima >
>>