Detalles de la búsqueda
1.
Spatially uniform resistance switching of low current, high endurance titanium-niobium-oxide memristors.
Nanoscale
; 9(5): 1793-1798, 2017 Feb 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27906408
2.
Direct identification of the conducting channels in a functioning memristive device.
Adv Mater
; 22(32): 3573-7, 2010 Aug 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20512814
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