Detalles de la búsqueda
1.
Topological Quantum Switching Enabled Neuroelectronic Synaptic Modulators for Brain Computer Interface.
Adv Mater
; 36(27): e2306254, 2024 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38532608
2.
Impact of an Underlying 2DEG on the Performance of a p-Channel MOSFET in GaN.
ACS Appl Electron Mater
; 5(6): 3309-3315, 2023 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37396055
3.
Metal-Induced Trap States: The Roles of Interface and Border Traps in HfO2/InGaAs.
Micromachines (Basel)
; 14(8)2023 Aug 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37630142
4.
Quantum Topological Neuristors for Advanced Neuromorphic Intelligent Systems.
Adv Sci (Weinh)
; 10(24): e2300791, 2023 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37340871
5.
Origins of the Schottky Barrier to a 2DHG in a Au/Ni/GaN/AlGaN/GaN Heterostructure.
ACS Appl Electron Mater
; 4(10): 4808-4813, 2022 Oct 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36311441
6.
Diffusion-Controlled Faradaic Charge Storage in High-Performance Solid Electrolyte-Gated Zinc Oxide Thin-Film Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(11): 9782-9791, 2018 Mar 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29513513
7.
Negative Capacitance beyond Ferroelectric Switches.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(23): 19812-19819, 2018 Jun 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29788714
8.
Nanoionics-Based Three-Terminal Synaptic Device Using Zinc Oxide.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(2): 1609-1618, 2017 Jan 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27990819
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