Detalles de la búsqueda
1.
Performance enhancement of an N-polar nitride deep-ultraviolet light-emitting diode with compositionally graded p-AlGaN.
Opt Lett
; 47(2): 385-388, 2022 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35030622
2.
Performance enhancement of nitrogen-polar GaN-based light-emitting diodes prepared by metalorganic chemical vapor deposition.
Opt Lett
; 47(15): 3628-3631, 2022 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35913275
3.
Accurate Monitoring Platform for the Surface Catalysis of Nanozyme Validated by Surface-Enhanced Raman-Kinetics Model.
Anal Chem
; 92(17): 11763-11770, 2020 09 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32697077
4.
Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes.
Light Sci Appl
; 10(1): 117, 2021 Jun 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34083511
5.
High-Performance Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using n-ZnO/p-hBN/p-GaN Contact Heterojunctions.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(5): 6788-6792, 2020 Feb 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31913014
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