Detalles de la búsqueda
1.
III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si.
Nano Lett
; 15(12): 7898-904, 2015 Dec 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26595174
2.
Electrical properties of GaSb/InAsSb core/shell nanowires.
Nanotechnology
; 25(42): 425201, 2014 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25264978
3.
Combining axial and radial nanowire heterostructures: radial Esaki diodes and tunnel field-effect transistors.
Nano Lett
; 13(12): 5919-24, 2013.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24224956
4.
Single InAs/GaSb nanowire low-power CMOS inverter.
Nano Lett
; 12(11): 5593-7, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23043243
5.
Effects of crystal phase mixing on the electrical properties of InAs nanowires.
Nano Lett
; 11(6): 2424-9, 2011 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21528899
6.
High current density Esaki tunnel diodes based on GaSb-InAsSb heterostructure nanowires.
Nano Lett
; 11(10): 4222-6, 2011 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21894940
7.
Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A growth parameter study.
J Cryst Growth
; 334(1): 51-56, 2011 Nov 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22053114
8.
Growth mechanism of self-catalyzed group III-V nanowires.
Nano Lett
; 10(11): 4443-9, 2010 Nov 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20939507
Resultados
1 -
8
de 8
1
Próxima >
>>