Detalles de la búsqueda
1.
Performance improvement of Hf0.45Zr0.55Oxferroelectric field effect transistor memory with ultrathin Al-O bonds-modified InOxchannels.
Nanotechnology
; 34(17)2023 Feb 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36701799
2.
Multiple-Degree-of-Freedom Modeling and Simulation for Seismic-Grade Sigma-Delta MEMS Capacitive Accelerometers.
Sensors (Basel)
; 23(12)2023 Jun 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37420559
3.
A Study on the Harmonic Distortion of Seismic-Grade Sigma-Delta MEMS Accelerometers Using a Multiple Degree-of-Freedom Model.
Sensors (Basel)
; 23(19)2023 Oct 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37837052
4.
MRI-based brain tumor segmentation using FPGA-accelerated neural network.
BMC Bioinformatics
; 22(1): 421, 2021 Sep 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34493208
5.
Flexible and Filter-Free Color-Imaging Sensors with Multicomponent Perovskites Deposited Using Enhanced Vapor Technology.
Small
; 17(26): e2007543, 2021 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34096175
6.
High-bandwidth light inputting multilevel photoelectric memory based on thin-film transistor with a floating gate of CsPbBr3/CsPbI3 blend quantum dots.
Nanotechnology
; 32(9): 095204, 2021 Feb 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33137802
7.
Three-Dimensional Nanoscale Flexible Memristor Networks with Ultralow Power for Information Transmission and Processing Application.
Nano Lett
; 20(6): 4111-4120, 2020 06 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32186388
8.
Charge-Trap Memory Based on Hybrid 0D Quantum Dot-2D WSe2 Structure.
Small
; 14(20): e1800319, 2018 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29665261
9.
2D negative capacitance field-effect transistor with organic ferroelectrics.
Nanotechnology
; 29(24): 244004, 2018 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29583135
10.
Eliminating Overerase Behavior by Designing Energy Band in High-Speed Charge-Trap Memory Based on WSe2.
Small
; 13(17)2017 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28218820
11.
Tunable SnSe2 /WSe2 Heterostructure Tunneling Field Effect Transistor.
Small
; 13(34)2017 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28714240
12.
Various and Tunable Transport Properties of WSe2 Transistor Formed by Metal Contacts.
Small
; 13(18)2017 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28296162
13.
WSe2/MoS2 and MoTe2/SnSe2 van der Waals heterostructure transistors with different band alignment.
Nanotechnology
; 28(41): 415201, 2017 Oct 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28726689
14.
Surface-plasmon mediated photoluminescence enhancement of Pt-coated ZnO nanowires by inserting an atomic-layer-deposited Al2O3 spacer layer.
Nanotechnology
; 27(16): 165705, 2016 Apr 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26963868
15.
Photoluminescence enhancement of ZnO nanowire arrays by atomic layer deposition of ZrO2 layers and thermal annealing.
Phys Chem Chem Phys
; 18(24): 16377-85, 2016 Jun 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27263423
16.
Effects of ZnO seed layer annealing temperature on the properties of n-ZnO NWs/Al(2)O(3)/p-Si heterojunction.
Opt Express
; 23(19): 24456-63, 2015 Sep 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26406650
17.
Improved photoelectrical properties of n-ZnO/p-Si heterojunction by inserting an optimized thin Al2O3 buffer layer.
Opt Express
; 22(18): 22184-9, 2014 Sep 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25321593
18.
Graded-Band-Gap Zinc-Tin Oxide Thin-Film Transistors with a Vertically Stacked Structure for Wavelength-Selective Photodetection.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(7): 9060-9067, 2024 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38336611
19.
A Method for Fast Au-Sn Bonding at Low Temperature Using Thermal Gradient.
Micromachines (Basel)
; 14(12)2023 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38138411
20.
Flexible Microspectrometers Based on Printed Perovskite Pixels with Graded Bandgaps.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(5): 7129-7136, 2023 Feb 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36710447