Detalles de la búsqueda
1.
Bottom-up fabrication of InAs-on-nothing MOSFET using selective area molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 30(3): 035301, 2019 Jan 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30452388
Resultados
1 -
1
de 1
1
Próxima >
>>