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1.
InAs Nanowire Transistors with Multiple, Independent Wrap-Gate Segments.
Nano Lett
; 15(5): 2836-43, 2015 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25879492
2.
Fully tunable, non-invasive thermal biasing of gated nanostructures suitable for low-temperature studies.
Nanotechnology
; 25(38): 385704, 2014 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25181529
3.
Control and understanding of kink formation in InAs-InP heterostructure nanowires.
Nanotechnology
; 24(34): 345601, 2013 Aug 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23900037
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