Detalles de la búsqueda
1.
Internal strain induced significant enhancement of deep ultraviolet light extraction efficiency for AlGaN multiple quantum wells grown by MOCVD.
Opt Express
; 26(2): 680-686, 2018 Jan 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29401950
2.
Localized surface plasmon enhanced deep UV-emitting of AlGaN based multi-quantum wells by Al nanoparticles on SiO2 dielectric interlayer.
Nanotechnology
; 29(19): 195203, 2018 May 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29469057
3.
Surface chemical and local electronic properties of Al(x)Ga(1-x)N epi-layers grown by MOCVD.
Opt Express
; 22(14): 17440-7, 2014 Jul 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25090557
4.
Enhanced electroluminescence using Ta2O5/ZnO/HfO2 asymmetric double heterostructure in ZnO/GaN-based light emitting diodes.
Opt Express
; 22 Suppl 3: A833-41, 2014 May 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24922390
5.
Optical, Structural, and Synchrotron X-ray Absorption Studies for GaN Thin Films Grown on Si by Molecular Beam Epitaxy.
Materials (Basel)
; 17(12)2024 Jun 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38930290
6.
Temperature dependence of Raman scattering in bulk 4H-SiC with different carrier concentration.
Opt Express
; 21(22): 26475-82, 2013 Nov 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24216868
7.
The Spatial Correlation and Anisotropy of ß-(AlxGa1-x)2O3 Single Crystal.
Materials (Basel)
; 16(12)2023 Jun 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37374452
8.
Structural, Surface and Optical Studies of m- and c-Face AlN Crystals Grown by Physical Vapor Transport Method.
Materials (Basel)
; 16(5)2023 Feb 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36903040
9.
Optical and Structural Properties of Aluminum Nitride Epi-Films at Room and High Temperature.
Materials (Basel)
; 16(23)2023 Nov 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38068186
10.
Angle-Dependent Raman Scattering Studies on Anisotropic Properties of Crystalline Hexagonal 4H-SiC.
Materials (Basel)
; 15(24)2022 Dec 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36556556
11.
Synthesis, Structural and Magnetic Properties of Cobalt-Doped GaN Nanowires on Si by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition.
Materials (Basel)
; 16(1)2022 Dec 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36614436
12.
Dielectric and energy storage properties of Bi2O3-B2O3-SiO2 doped Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3 lead-free glass-ceramics.
R Soc Open Sci
; 7(9): 191822, 2020 Sep.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33047007
13.
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 184, 2019 May 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31147797
14.
Strain-Controlled Recombination in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on Silicon Substrates.
Nanoscale Res Lett
; 13(1): 243, 2018 Aug 22.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-30136130
15.
Recombination Pathways in Green InGaN/GaN Multiple Quantum Wells.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 137, 2017 Dec.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28235373
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