Detalles de la búsqueda
1.
Trapping Layers Prevent Dopant Segregation and Enable Remote Doping of Templated Self-Assembled InGaAs Nanowires.
Nano Lett
; 23(14): 6284-6291, 2023 Jul 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37402180
2.
The implementation of thermal and UV nanoimprint lithography for selective area epitaxy.
Nanotechnology
; 34(44)2023 Aug 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37494897
3.
Coherent Hole Transport in Selective Area Grown Ge Nanowire Networks.
Nano Lett
; 22(10): 4269-4275, 2022 May 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35507698
4.
Stoichiometry modulates the optoelectronic functionality of zinc phosphide (Zn3-xP2+x).
Faraday Discuss
; 239(0): 202-218, 2022 Oct 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36305553
5.
Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch.
Nanotechnology
; 33(48)2022 Sep 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35952545
6.
Simultaneous Selective Area Growth of Wurtzite and Zincblende Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Silicon.
Nano Lett
; 21(7): 3139-3145, 2021 Apr 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33818097
7.
Vapor Phase Growth of Semiconductor Nanowires: Key Developments and Open Questions.
Chem Rev
; 119(15): 8958-8971, 2019 Aug 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30998006
8.
Raman spectroscopy and lattice dynamics calculations of tetragonally-structured single crystal zinc phosphide (Zn3P2) nanowires.
Nanotechnology
; 32(8): 085704, 2021 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33171447
9.
Raman tensor of zinc-phosphide (Zn3P2): from polarization measurements to simulation of Raman spectra.
Phys Chem Chem Phys
; 24(1): 63-72, 2021 Dec 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34851345
10.
Nanostructured alloys light the way to silicon-based photonics.
Nature
; 580(7802): 188-189, 2020 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32269348
11.
Quantitative Nanoscale Absorption Mapping: A Novel Technique To Probe Optical Absorption of Two-Dimensional Materials.
Nano Lett
; 20(1): 567-576, 2020 Jan 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31874041
12.
Remote Doping of Scalable Nanowire Branches.
Nano Lett
; 20(5): 3577-3584, 2020 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32315191
13.
In-situ reflectometry to monitor locally-catalyzed initiation and growth of nanowire assemblies.
Nanotechnology
; 31(33): 335703, 2020 Aug 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32344388
14.
Time-resolved open-circuit conductive atomic force microscopy for direct electromechanical characterisation.
Nanotechnology
; 31(40): 404003, 2020 Oct 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32521513
15.
Single-Crystalline γ-Ga2S3 Nanotubes via Epitaxial Conversion of GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 19(12): 8903-8910, 2019 12 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31682755
16.
The Role of Polarity in Nonplanar Semiconductor Nanostructures.
Nano Lett
; 19(6): 3396-3408, 2019 06 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31039314
17.
Extraction of p-n junction properties and series resistance in GaAs nanowire-based solar cells using light concentration.
Nanotechnology
; 30(9): 094001, 2019 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30524064
18.
Increasing N content in GaNAsP nanowires suppresses the impact of polytypism on luminescence.
Nanotechnology
; 30(40): 405703, 2019 Oct 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31242464
19.
High Electron Mobility and Insights into Temperature-Dependent Scattering Mechanisms in InAsSb Nanowires.
Nano Lett
; 18(6): 3703-3710, 2018 06 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29717874
20.
Bistability of Contact Angle and Its Role in Achieving Quantum-Thin Self-Assisted GaAs nanowires.
Nano Lett
; 18(1): 49-57, 2018 01 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29257895