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1.
Dynamics of nonequilibrium carrier decay in AlGaN epitaxial layers with high aluminum content.
Opt Express
; 23(15): 19646-55, 2015 Jul 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26367622
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Influence of carrier localization on high-carrier-density effects in AlGaN quantum wells.
Opt Express
; 22 Suppl 2: A491-7, 2014 Mar 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24922258
3.
Photoluminescence efficiency droop and stimulated recombination in GaN epilayers.
Opt Express
; 20(23): 25195-200, 2012 Nov 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23187336
4.
Surface acoustic wave velocity in single-crystal AlN substrates.
IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control
; 53(1): 251-4, 2006 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16471453
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