Detalles de la búsqueda
1.
Polarization selection rules for inter-Landau-level transitions in epitaxial graphene revealed by the infrared optical Hall effect.
Phys Rev Lett
; 111(7): 077402, 2013 Aug 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23992081
2.
Bilayer graphene grown on 4H-SiC (0001) step-free mesas.
Nano Lett
; 12(4): 1749-56, 2012 Apr 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22352833
3.
Surface potential and thin film quality of low work function metals on epitaxial graphene.
Sci Rep
; 8(1): 16487, 2018 Nov 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30405192
4.
Determining the nature of the gap in semiconducting graphene.
Sci Rep
; 7: 41713, 2017 02 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28181521
5.
Functionalized graphene as a model system for the two-dimensional metal-insulator transition.
Sci Rep
; 6: 19939, 2016 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26860789
6.
Hot carrier relaxation of Dirac fermions in bilayer epitaxial graphene.
J Phys Condens Matter
; 27(16): 164202, 2015 Apr 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25835029
7.
Materials science. Silicon carbide as a platform for power electronics.
Science
; 324(5933): 1398-400, 2009 Jun 12.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-19520947
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