Detalles de la búsqueda
1.
2D Effective Electron Mass at the Fermi Level in Accumulation and Inversion Layers of MOSFET Nano Devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(4): 2856-2874, 2018 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29442967
2.
Entropy, Electric Field and Heavily Doped Nanowires.
J Nanosci Nanotechnol
; 17(1): 640-50, 2017 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29630321
3.
Heisenberg's Uncertainty Principle, Intense Electric Field, Heavily Doped Optoelectronic Quantized Structures and the Electron Statistics.
J Nanosci Nanotechnol
; 17(1): 256-9, 2017 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29620339
4.
Two Dimensional Effective Electron Mass at the Fermi Level in Quantum Wells of III-V, Ternary and Quaternary Semiconductors.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(9): 6460-71, 2015 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26716200
5.
Effective electron mass in quantum wires of III-V, ternary and quaternary materials.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(12): 8985-93, 2012 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23447948
6.
The Magneto Electron Statistics in Heavily Doped N Type-Intrinsic-P Type-Intrinsic Structures.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(12): 6183-6187, 2021 12 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34229819
7.
Einstein's Photoemission from Quantum Confined Superlattices.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(1): 1095-124, 2016 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27398574
8.
Einstein's 1D Photo Emission and the Von Klitzing Constant.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(1): 1229-30, 2016 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27398593
9.
Simple theoretical analysis of the photoemission from quantum confined effective mass superlattices of optoelectronic materials.
Beilstein J Nanotechnol
; 2: 339-62, 2011.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22003442
Resultados
1 -
9
de 9
1
Próxima >
>>